曝光掩模及其制造方法以及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供曝光掩模及其制造方法以及半导体器件的制造方法。该掩模具有透明基体和形成在透明基体上的透明膜。该透明膜有至少一个在预定掩模部分内形成并有相对较低曝光束透明度的掩模部件。掩模薄膜有时有对于设计位置的位置误差。这主要是因为透明膜的面内应力分布不均匀。透明膜在厚度上部分地减小可使面内应力分布一致。

主权项

1.一种曝光掩模，其中包括：透明基体；以及在所述透明基体上形成的透明膜，所述透明膜具有至少一个以预定掩模图案形成并有相对较低曝光束透明度的掩模部件，以及至少一个根据掩模图案的图像位置误差的分布改变所述透明膜内的面内应力分布的应力改变部件。