| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供通过防止TFT截止动作时增大漏泄电流的现象，从而提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制沟道区的导电性的栅电极，半导体层的表面有微小的凸部，栅电极的侧面的倾斜角大于半导体层的凸部的倾斜角。 | ||
| 申请公布号 | CN1510762A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN200310123024.8 | 申请日期 | 2003.12.23 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 牧田直树 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在所述半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制所述沟道区的导电性的栅电极；其中：所述半导体层的表面有凸部，所述栅电极的侧面的倾斜角大于所述半导体层的所述凸部的倾斜角。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||