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<p><P>Selon le procédé de formation d'une couche de silicium polycristallin à partir d'une couche de silicium amorphe sur un substrat, on dispose un masque (100) par dessus la couche de silicium amorphe, le masque ayant une pluralité de régions transmissives (102), la pluralité de régions transmissives étant disposées selon un agencement en paliers et étant espacées les unes des autres dans une première direction (X1) et dans une deuxième direction sensiblement perpendiculaire à la première direction ; on irradie un faisceau laser sur la couche de silicium amorphe une première fois à travers le masque de manière à former une pluralité de premières régions irradiées; on déplace le substrat et le masque l'un par rapport à l'autre, de sorte que la première partie latérale de chaque région transmissive chevauche la partie centrale de chacune des premières régions irradiées ; et on irradie le faisceau laser sur la couche de silicium amorphe une deuxième fois à travers le masque de manière à former une pluralité de deuxièmes régions irradiées correspondant à la pluralité de régions transmissives (102).Le procédé améliore l'uniformité de la cristallisation et le rendement en production grâce à une réduction de la durée du processus</P></p> |
