发明名称 SUBSTRAT A BASE DE SILICIUM POREUX ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT
摘要
申请公布号 FR2826177(B1) 申请公布日期 2004.07.02
申请号 FR20010007861 申请日期 2001.06.15
申请人 STMICROELECTRONICS SA 发明人 BENSAHEL DANIEL;HALIMAOUI AOMAR
分类号 H01L21/02;H01L21/306;H01L23/15;H01L27/08;H05K1/03;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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