发明名称 | 罩幕式唯读记忆体的制造方法 | ||
摘要 | 一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,此方法系先在基底中形成埋入式位元线并在基底上形成闸极与字元线,之后,以一精准度较高的步骤,在基底上形成一具有复数个预编码开口的预编码层,该些预编码开口系与基底中的复数个编码区对应。其后,在该些预编码开口中填入一填充层,再以一精准度较低的步骤,于基底上形成一编码罩幕。接着,将编码罩幕之编码开口其所对应之预编码开口之中的填充层完全去除。之后,移除编码罩幕,再以预编码层与填充层为罩幕,进行一编码离子植入步骤,以在已移除填充层之预编码开口其所对应的编码区植入离子。 | ||
申请公布号 | TW200411845 | 申请公布日期 | 2004.07.01 |
申请号 | TW091136981 | 申请日期 | 2002.12.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 锺维民 |
分类号 | H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8246 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |