发明名称 凸块制程
摘要 一种凸块制程,系形成一黏着层到晶圆之主动表面上,再于黏着层上依序形成阻障层与融合层。接着,去除部分的融合层及阻障层,再于黏着层上形成图案化之罩幕层,其中罩幕层具有复数个开口,并至少暴露出融合层,然后,进行一印刷制程,以于开口中形成锡膏层,其后,进行回焊制程,以使锡膏层个别形成凸块,再去除罩幕层,之后,去除残留之融合层及阻障层下方之外的黏着层。
申请公布号 TW200411824 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137815 申请日期 2002.12.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 吴世英
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号