| 摘要 |
传统形成钌薄膜方法有一问题，就是在改善表面形态的条件和改善阶层覆盖的条件相反，有关氧的分数、压力、温度等。因此，要得到同时改善表面形态和阶层覆盖的薄膜是困难的。本发明提供三种方法同时改善上述表面形态和上述阶层覆盖，如形成上述钌薄膜的一方法，利用PECVD制程形成钌薄膜在一半导体基板上；接着利用热激励CVD制程形成钌种晶层。如另一形成钌薄膜的方法，利用热激励CVD制程形成钌薄膜在一半导体基板上，再利用含电浆氧对上述钌薄膜表面进行处理。如再另一实施例，一种形成钌薄膜的方法，利用热激励CVD制程在一半导体基板上形成第一钌薄膜，再利用PECVD制程在上述第一钌薄膜上形成第二钌薄膜。根据这些方法，上述表面形态和上述阶层覆盖皆被改善。 |
