| 摘要 |
本发明所揭示的是一种形成氮氧化物薄膜之方法。该方法包括将矽基板载入到氧化高温炉中，将以氧为基础的来源气体灌注到该氧化高温炉中，以便在该矽基板上成长出纯的氧化矽薄膜，关闭以氧为基础的来源气体被灌注到里面，并进行惰性气体的灌注，以便将残留在该氧化高温炉中以氧为基础的来源气体排放出去，将该高温炉的温度上升到氮化处理温度，让该高温炉内的温度稳定，藉以将以氮为基础的来源气体进行灌注而对该纯的氧化矽薄膜进行氮化处理，以及停止对以氮为基础的来源气体所进行的灌注，并让该惰性气体灌注到该高温炉来快速冷却该高温炉。 |
