形成半导体装置的薄膜的方法

摘要

本发明揭示一种形成半导体装置之薄膜的方法，更特定而言，是一种形成半导体装置之薄膜的方法，其中该半导体基板系在一薄膜形成装置中接受一薄膜形成制程，该薄膜形成装置包含一处理室，一可在该处理室中垂直移动的支持台，及置于该支持合内的一加热器，该方法包含一预热制程，用于在该薄膜形成制程之前垂直地移动该支持台一预定的次数来稳定该处理室之内部温度。