Si02/SiC 结构中界面状态之氮钝化作用

摘要

碳化矽上氮化氧化物层系藉由在基本上无氧之含氮气氛中退火氮化氧化物层而予加工。退火可在大于约900℃之温度下进行，例如约1100℃之温度，约1200℃之温度或约1300℃之温度。退火氮化氧化物层可在小于约1大气压之压力下进行。例如在约0.01至约1大气压之压力或约0.2大气压之压力。氮化氧化物层可为在含N2O及／或NO之气氛中成长，在含N2O及／或NO之气氛中退火或在含N2O及／或NO之气氛中成长及退火之氧化物层。