半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，由数个部分层(1)(2)(3)(4)构成，其中有一个部分层(4)在横截面BC的绝大部分范围中在半导体装置(20)的内部直接邻界到一第一部分层(2)，且该横截面BC的较狭小的边缘区域中邻界到一第二部分层，此半导体装置之特色为在边缘区域且路线电阻小穿透电压高，此外还关于一种制造此手导体装置的方法。