形成顶闸极型薄膜电晶体元件的方法

摘要

一种形成顶闸极型薄膜电晶体元件的方法，其特征在于：使用一第一光罩，形成具有一厚光阻层部分与一薄光阻层部分的一光阻层于位在主动区的基底上，而能在同一图案化程序中定义出一矽岛以及一通道层或一源／汲极区。还有，进行使用一第二光罩的图案化程序以及进行一背面曝光程序，用以定义出一闸极与一轻掺杂汲极区。根据本发明，仅需两个光罩就能形成顶闸极型薄膜电晶体元件，故能简化知制程。