| 摘要 |
本发明提供一种在一半导体基底(3)上置有一紧密单元之半导体装置的制造方法，该半导体基底(3)包含至少两相隔一间距之相邻元件，该等元件系由一层叠予以界定，该层叠包含一位于基底(3)上之隔离层(4)和一位于该隔离层(4)上之多晶矽层(5)，其中该制造方法包含：-在层叠上沉积一遮罩物(M1；M3)，该遮罩物(M1；M3)包含至少一垂直隔离层(10)、一第一(9)和第二(11)氮化矽层，该垂直隔离层(10)使第一(9)和第二(11)氮化矽层隔开且系置于要形成间距之位置；-在垂直隔离层(10)上实行一第一选择性蚀刻以形成一窄狭缝(A)；-实行一堆叠蚀刻，其包含一用于选择性蚀刻多晶矽层(5)之第一堆叠蚀刻步骤，使用窄狭缝(A)以界定第一堆叠蚀刻步骤之位置及该等元件之间的间距。 |
