发明名称 浅沟渠隔离区的制造方法
摘要 一种浅沟渠隔离区的制造方法,此方法系首先提供一晶圆,其中晶圆上已形成有一罩幕层。接着,提供一空白晶圆,并且将空白晶圆送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制程。之后,检视空白晶圆产生之一缺陷数量,倘若空白晶圆上之缺陷数量小于一标准值,才将晶圆送进蚀刻机台中以进行蚀刻制程,而于晶圆中定义出一沟渠。继之,在沟渠中填入一绝缘层,然后将罩幕层移除,而形成一浅沟渠隔离区。
申请公布号 TW200411812 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137266 申请日期 2002.12.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 马思尊;张国华
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号