发明名称 半导体装置
摘要 包含:装配单片的电晶体,上面有连接用电极,下面有外部电极端子的半导体晶片;重叠配置在上述半导体晶片的上面,电气方式连接在上述半导体晶片的上述连接用电极的中介配线基板;搭载于上述中介配线基板上,电气方式连接在上述中介配线基板之配线的电子零件;及设在半导体晶片之上面,被覆中介配线基板及电子零件的绝缘性树脂构成之密封部的半导体模组,中介配线基板较上述半导体晶片小,中介配线基板的边缘不突出于上述半导体晶片边缘的外侧,较之元件形成领域的半导体晶片上面,离开元件形成领域之领域的上面较低,连接离开元件形成领域的半导体晶片领域与中介配线基板之配线的连接用电极(第2连接电极)的高度,较连接半导体晶片的元件形成领域内的电极与中介配线基板之配线的连接用电极(第1连接电极)的高度为高,在元件形成领域外侧之领域形成有从其上面贯穿至下面的导体,此导体是电气方式连接在设于半导体晶片下面的外部电极端子,一部分导体成电气方式连接在中介配线基板的配线,一部分导体接触于密封部。
申请公布号 TW200411902 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137516 申请日期 2002.12.26
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 小西聪;远藤恒雄;山田富男;根岸干夫;中浩一
分类号 H01L27/06 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本