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发明名称
铁电记忆胞元
摘要
根据本案的铁电记忆胞元具有一铁电通道层(FeTL),其系连同一第一电传导区域(1)与一第二电传导区域(2)而形成该铁电记忆胞元。在此状况下,该铁电通道层(FeTL)系被排列在该两个电传导区域(1,2)之间。
申请公布号
TW200411901
申请公布日期
2004.07.01
申请号
TW092128468
申请日期
2003.10.14
申请人
亿恒科技股份公司
发明人
凯-乌韦皮诺夫;托马斯米寇拉吉克;曼弗雷德莫尔特
分类号
H01L27/04
主分类号
H01L27/04
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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