发明名称 铁电记忆胞元
摘要 根据本案的铁电记忆胞元具有一铁电通道层(FeTL),其系连同一第一电传导区域(1)与一第二电传导区域(2)而形成该铁电记忆胞元。在此状况下,该铁电通道层(FeTL)系被排列在该两个电传导区域(1,2)之间。
申请公布号 TW200411901 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW092128468 申请日期 2003.10.14
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 凯-乌韦皮诺夫;托马斯米寇拉吉克;曼弗雷德莫尔特
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国