发明名称 利用氟化氩(ArF)曝射光源制造半导体装置之方法
摘要 本发明系有关一种利用硬式遮罩制造导电层图案之方法,其中系利用氟化氩(ArF)曝射光源使该硬式遮罩的上表面平坦化。根据本发明的方法包括下列步骤:于一半导体基板上形成一导电层;依序在该导电层上形成一第一硬式遮罩层、一第二硬式遮罩层及一第三硬式遮罩层;利用氟化氩(ArF)曝射光源于该第三硬式遮罩层上形成一光阻图案以便形成一预定图案;藉由使用该光阻图案当作蚀刻遮罩对该第三硬式遮罩层进行蚀刻以形成一第一硬式遮罩图案;藉由使用该第一硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩对该第二硬式遮罩层进行蚀刻以形成一第二硬式遮罩图案;移除该第一硬式遮罩图案;以及使用该第二硬式遮罩图案当作蚀刻遮罩对该第一硬式遮罩层和导电层进行蚀刻,并形成一含有该导电层以及该第二和第一硬式遮罩图案的堆叠型硬式遮罩图案。
申请公布号 TW200411336 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW092118845 申请日期 2003.07.10
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李圣权
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 韩国
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