供铜冶金用之含有非晶形障壁层之半导体装置

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包含一位于一铜导电层与一低k值有机绝缘体之间的障壁层，该障壁层包含一非晶形金属玻璃，较佳为非晶形钽-铝。本发明亦揭示一种制作半导体装置之方法。