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发明名称
多位元记忆单元及其制造方法及其操作方法
摘要
本发明提供一种多位元记忆单元之制造方法,首先,提供一具有介电层之半导体基底,介电层上形成有一闸极;接着,以闸极为罩幕对半导体基底进行蚀刻以去除露出表面之介电层,且于闸极及半导体基底之表面上顺应性形成一氧化层;然后,于氧化层上顺应性形成一绝缘层,并对绝缘层进行蚀刻步骤以在闸极侧壁之氧化层外侧形成一间隙壁;并以闸极及间隙壁为罩幕,对半导体基底进行离子植入步骤,以在半导体基底上形成一源汲极区;最后,在去除露出表面之氧化层之后,于露出表面之闸极及源汲极区之表面上形成一金属矽化物。
申请公布号
TW200411847
申请公布日期
2004.07.01
申请号
TW091137657
申请日期
2002.12.27
申请人
应用智慧有限公司
发明人
郑湘原
分类号
H01L21/8247
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
台北市内湖区民权东路六段一八○巷六号九楼之二十八
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