| 摘要 |
一种绝缘闸极场效电晶体及其制造方法，该绝缘闸极场效电晶体具有差别性掺杂的源极侧环区域及汲极侧环区域。闸极结构系形成于半导体基板之主表面上。源极侧环区域系接近源极延伸区域，且汲极侧环区域系接近汲极延伸区域，而此处该汲极侧环区域具有大于该源极侧环区域之掺质浓度。源极延伸区域及汲极延伸区域系形成于半导体材料中。该源极延伸区域系在闸极结构之下延伸，该汲极延伸区域则可在该闸极结构之下延伸或可横向间隔开该闸极结构或可对准至邻接该汲极区域之闸极侧边。源极区域系邻接至该源极延伸区域，而汲极区域则邻接至该汲极延伸区域。 |
