具有垂直型电晶体与深沟槽电容器之记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有垂直型电晶体与深沟槽电容器之记忆体装置，包括复数深沟电容器，设置于一基板中，其中相邻两列之复数深沟槽电容器以交错的方式排列；复数条字元线，系大体上沿着一第一方向，设置于复数深沟槽电容器之上方，复数条字元线对应于复数深沟槽电容器作为闸极之用；复数条主动区，大体上沿着一第二方向，设置于基板中，且每一主动区覆盖于深构槽电容器之区域的两侧边上各具有一凹陷部，其中各凹陷部之两侧边系沿着45度角向内限缩一既定宽度。