发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer auf Silizium stabilen kristallinen Zwischenschicht
摘要
申请公布号 DE60011022(D1) 申请公布日期 2004.07.01
申请号 DE2000611022 申请日期 2000.12.11
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 YU, ZHIYI JIMMY;WANG, JUN;DROOPAD, RAVINDRANATH;RAMDANI, JAMAL
分类号 H01L21/20;C30B23/02;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/8246;H01L27/105 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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