Oxidhalbleiterelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt eine Oxidhalbleiterelektrode bereit, die eine Kombination von hoher Transparenz mit großer Oberfläche verwirklichen kann und auf ultraviolettes Licht ebenso wie auf sichtbares Licht stark anspricht. Die Oxidhalbleiterelektrode umfasst ein leitfähiges Substrat und eine auf dem leitfähigen Substrat bereitgestellte Oxidhalbleiterschicht. Die Oxidhalbleiterschicht ist ein poröse Schicht, die poröse Titanoxidteilchen umfasst, die miteinander verbunden wurden, um zwischen den Teilchen in Verbindung stehende Poren zu definieren. Bevorzugt haben die Poren der Titanteilchen an sich einen Durchmesser von 10 bis 40 nm, die in Verbindung stehenden Poren zwischen den Teilchen einen Durchmesser von 10 bis 70 nm und die Titanteilchen einen durchschnittlichen Durchmesser von 10 bis 70 nm.