发明名称 |
光生伏打元件及其制造法 |
摘要 |
由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。 |
申请公布号 |
CN1156022C |
申请公布日期 |
2004.06.30 |
申请号 |
CN97122850.7 |
申请日期 |
1997.09.05 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
冈部正太郎;藤冈靖;金井正博;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏;芳里直;矢岛孝博 |
分类号 |
H01L31/04;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/04 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
蒋世迅 |
主权项 |
1、一种光生伏打元件,由半导体结元件组成,其特征是,所述 的元件包括第1导电类型的半导体层、非晶i型半导体层、微晶i 型半导体层,和微晶第2导电类型的半导体层,其中在所述微晶第 2导电类型的半导体层中最大杂质浓度的区域具有10<sup>21</sup>原子/cm<sup>3</sup>或 更大的杂质浓度,并且杂质浓度向着所述微晶i型半导体层减小; 以及所述元件是pin结元件。 |
地址 |
日本东京 |