发明名称 低副面接触式超越离合器
摘要 一种低副面接触式超越离合器,其特征是:A.在齿轮4的一侧铸有限位用的凸台,其上有数个沿圆周方向均匀分布的凹槽,凹槽内放置有滑柱6;B.后随动盘3空套在齿轮的限位凸台上,前随动盘2空套在齿轮的轴台上,并用挡圈11限位,楔块5利用其自身的前后轴台夹在前、后随时动盘之间;C.楔块悬臂的平面与滑柱6的外平面接触,楔块5经回位簧7与固定在后随动盘上的销9连接。该实用新型接触应力小,受力均匀,不易变形,可靠性高,制造简单,附加惯性力矩小。
申请公布号 CN2622475Y 申请公布日期 2004.06.30
申请号 CN03234804.5 申请日期 2003.06.07
申请人 刘国胜 发明人 刘国胜;张知时;任君元
分类号 F16D41/24 主分类号 F16D41/24
代理机构 重庆市前沿专利事务所 代理人 郭云
主权项 1.一种低副面接触式超越离合器,包括薄壁盆形环(1)、前随动盘(2)、后随动盘(3)、齿轮(4)、楔块(5)、滑柱(6)、回位簧(7)、销(9),其特征在于:A.在齿轮(4)的一侧铸有限位用的凸台,其上有数个沿圆周方向均匀分布的凹槽,凹槽内放置有滑柱(6);B.后随动盘(3)空套在齿轮(4)的限位凸台上,前随动盘(2)空套在齿轮的轴台上,并用挡圈(11)限位,楔块(5)利用其自身的前后轴台夹在前、后随时动盘(2、3)之间;C.楔块(5)悬臂的平面与滑柱(6)的外平面接触,楔块(5)经回位簧(7)与固定在后随动盘(3)上的销(9)连接。
地址 400015重庆市渝中区大溪沟静园8-4-9