| 发明名称 | 分离栅快闪存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储单元，其包括：一半导体衬底；一井区域，其由一第一类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第一掺杂区域，其由以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第二掺杂区域，其被形成但与该第一掺杂区域有所间隔，并以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中，该第二掺杂区域还包括一以该第一类掺杂剂注入的第三区域；一第一介电层，其被设置于该半导体衬底上；一浮极，其被设置于第一介电层上，并延伸于该井区域与第二掺杂区域的一部分上；一第二介电层，其被设置在该浮极上；以及一控制极，其被设置于该第一介电层与第二介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1508873A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN02156323.3 | 申请日期 | 2002.12.13 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 杨青松;吕联沂;陈炳勳;徐清祥 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L27/112;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，其包括：一半导体衬底；一井区域，其以一第一类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第一掺杂区域，其以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；一第二掺杂区域，其被形成但与该第一掺杂区域有所间隔，并且以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中，该第二掺杂区域还包括一以该第一类掺杂剂所注入的第三区域；一第一介电层，其被设置于该半导体衬底上；一浮极，其被设置于该第一介电层上，并延伸于该井区域与该第二掺杂区域的一部分上；一第二介电层，其被设置于该浮极上；以及一控制极，其被设置于该第一介电层和该第二介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||