| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 借助包含以下工艺步骤的外延制造半导体元件的方法，这些步骤有：a)把具有外延窗口的HF可溶解的掩模层覆盖到外延衬底上，b)在外延反应器内半导体层或层系列外延沉积到外延窗口露出的外延衬底区，以及c)借助引入外延反应器内的氟化物去除掩模材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1155992C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN99806775.X | 申请日期 | 1999.05.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 发明人 | V·阿尔莱 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L31/18;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.半导体元件的制造方法，它具有以下的工艺步骤：a)把具有外延窗(4)的HF可溶解的掩模层(3)覆盖到外延衬底(9)上，b)在外延反应器内把半导体层或层系列(10)外延沉积(11)到被外延衬底(9)的外延窗(4)露出的区域上，以及c)借助氟化物腐蚀(12)去除掩模材料，其特征为：作为氟化物，一种不稳定的氟化物引入到冷却的外延反应器内，该氟化物在外延反应器内分解或反应成为氟化氢，其中，反应器壁被冷却，以便在那里降低不稳定氟化物的反应性。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||