发明名称 | 包含串级场效晶体管之电路装置 | ||
摘要 | 根据本发明之电路装置系基于以一分压器R1和R2之控制路径之延伸,其系供应该控制电压以R1/(R1+R2)分至该第二操作晶体管AT2之该闸电极。然而,此延伸系仅打算与该控制路径之陡部分相关,因此,该第一和第二电路单元系用以正确地安置开启电压,且相当地缩短该控制特性之延长平坦之上部,且正确地放置它,此外如果可能的话,该开启电压之散流会被截断或补偿以取代被该分压器电压以乘法增加。 | ||
申请公布号 | CN1509517A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
申请号 | CN02809959.1 | 申请日期 | 2002.04.18 |
申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | W·滋梅曼恩 |
分类号 | H03G1/00 | 主分类号 | H03G1/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
主权项 | 1.一种包含至少二串级场效晶体管之电路装置,尤其是用以高频应用,其具有一源极端点、一汲极端点、至少一输入信号端点(E),其系连接至一第一操作晶体管(AT1)之闸电极、以及至少一控制电压端点(R),其系连接至一第二操作晶体管(AT2)之闸电极,其特征在于提供:一分压器(R1,R2),其系配置于该控制电压端点(R)及该第二操作晶体管(AT2)之闸电极之间:一第一电路单元,其系连接至该控制电压端点(R),且其高于一第一预设电压门槛值开启该分压器(R1,R2);一第二电路单元,其系连接至该控制电压端点(R),且其高于一第二预设电压门槛值关闭该分压器(R1,R2),其系高于该第一电压门槛值。 | ||
地址 | 德国慕尼黑 |