发明名称 半导体器件及保持电路
摘要 本发明公开了一种半导体器件。其目的在于:在抑制电力损失的同时,提供实现小面积化的开关元件。本发明的半导体器件由至少两个开关元件、且元件衬底的主面一侧相互重叠而构成。开关元件包括由宽带隙半导体构成的衬底、设置在衬底的主面一侧的源电极及栅极电极、和设置在衬底的背面上的漏电极。
申请公布号 CN1508883A 申请公布日期 2004.06.30
申请号 CN200310122341.8 申请日期 2003.12.17
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 北畠真;麻田和彦;山下秀和;长泻信义;登一博;大森英树;小川正则
分类号 H01L29/78;H01L29/00;H01L27/02 主分类号 H01L29/78
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 张立岩
主权项 1、一种半导体器件,其特征在于:包括所述第1晶体管和所述第2晶体管,所述第1晶体管拥有由宽带隙半导体构成且含有第1导电型杂质的第1衬底、设置在所述第1衬底的主面一侧的第1电极、设置在所述第1衬底的背面一侧的第2电极和设置在所述第1衬底的主面一侧的第1控制电极;所述第2晶体管拥有由宽带隙半导体构成且含有第1导电型杂质的第2衬底、设置在所述第2衬底的主面一侧且与所述第1电极用电气的方法相连接的第3电极、设置在所述第2衬底的背面一侧的第4电极和设置在所述第2衬底的主面一侧的第2控制电极,第2晶体管与所述第1晶体管电气特性相同,所述第1晶体管和所述第2晶体管相互重叠,使所述第1衬底的主面一侧和所述第2衬底的主面一侧相对。
地址 日本大阪府
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