介质分离型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的介质分离型半导体装置包括：设于半导体衬底(1)的第一主面的主介质层(3－1)、隔着主介质层(3－1)面对半导体衬底(1)的第一导电型的第一半导体层(2)、形成于第一半导体层(2)表面的第一导电型的第二半导体层(4)、包围第一半导体层(2)外周边的第二导电型的第三半导体层(5)、包围第三半导体层(5)外周边的环形绝缘膜(9)、设于第二半导体层(4)上的第一主电极、设于第三半导体层(5)上的第二主电极、设于半导体衬底(1)的第二主面的背面电极(8)、设于第二半导体层(4)正下方且至少与第二主面一部分接合的辅助介质层(3－2)。由于上述结构，本发明的介质分离型半导体装置能够不损及RESURF效应地提高耐压性能。

主权项

1.一种介质分离型半导体装置，其中设有：半导体衬底；与所述半导体衬底的整个第一主面邻接而配置的主介质层；面对半导体衬底、隔着所述主介质层设于所述主介质层表面的低杂质浓度的第一导电型的第一半导体层；有选择地形成于所述第一半导体层的表面的高杂质浓度的第一导电型的第二半导体层；空有间隔地围着所述第一半导体层的外周边配置的高杂质浓度的第二导电型的第三半导体层；围着所述第三半导体层的外周边配置的环形绝缘膜；与所述第二半导体层的表面接合而配置的第一主电极；与所述第三半导体层的表面接合而配置的第二主电极；与面对所述半导体衬底的第一主面的第二主面邻接而配置的板状的背面电极；以及设于所述第二半导体层的正下方且与所述主介质层的所述第二主面至少部分接合的第一辅助介质层。