| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种包括改善电流驱动特性(增大漏极电流)的场效应晶体管半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入杂质来制作与栅电极对准的半导体区的步骤之前，从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入IV族元素，其深度浅于在制作半导体区的步骤中杂质的注入深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1508846A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN200310122393.5 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 满田胜弘;本多光晴;饭塚朗 |
| 分类号 | H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作包含场效应晶体管的半导体器件的方法，包括以下步骤：由半导体衬底主表面上的栅绝缘膜制作栅电极，从半导体衬底的主表面向其内部离子注入第一杂质来制作与栅电极对准的第一半导体区；以及在制作栅电极的步骤之后，离子注入IV族元素，其注入深度浅于在制作第一半导体区的步骤中从半导体衬底主表面向其内部注入杂质的深度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||