| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在硅衬底1上形成多孔性MSQ(2)，在其上形成SiC掩模3。通过以该SiC掩模3为掩模的等离子体刻蚀，在多孔性MSQ(2)上形成布线沟槽5。在包含布线沟槽5的侧面的硅衬底1的整个面上形成氟化聚(苯二甲基)膜6，除去在布线沟槽5的侧面以外形成的不需要的氟化聚(苯二甲基)膜6。在布线沟槽5内形成阻挡层金属膜和籽晶层，淀积金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1508868A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN200310120660.5 | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 半导体先端科技株式会社 | 发明人 | 梶成彦 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在衬底上形成的多孔性的低介电常数膜；在上述低介电常数膜内形成的开口部；仅覆盖上述开口部的侧面、介电常数为3以下的绝缘膜；以及在上述开口部内形成的导电体膜。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||