| 发明名称 | 存储器制造方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种存储器制造方法及装置，尤其是一种具有低漏电及低阻抗插塞的存储器制造方法及装置，是在存储器内部的接触节点及位线接触区处先沉积形成一掺杂的多晶硅层，从而形成低漏电界面，再在该多晶硅层上方沉积形成低接触阻抗的钨插塞，借此双层结构形成一兼具低漏电及低接触阻抗的存储器插塞。 | ||
| 申请公布号 | CN1508862A | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN02156321.7 | 申请日期 | 2002.12.13 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 黄文魁;陈锡铨 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种存储器制造方法，包括：一形成多晶硅层的步骤，在一形成有各式晶体管的存储器的各区域上沉积形成一多晶硅层，从而获得在DRAM存储单元的各接触区内形成一全面覆盖的多晶硅层；一沉积形成钨插塞的步骤，使各接触区被钨插塞填满；一化学机械研磨步骤，将上述钨插塞的高度研磨至各接触区顶部为止，使各接触区形成双层插塞形式。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||