氮化硅只读存储器及其制造方法

摘要

一种氮化硅只读存储器，此氮化硅只读存储器是由设置于基底上的控制栅极、设置于控制栅极两侧的基底中的源极区与漏极区、设置于控制栅极与基底之间的电荷陷入层与设置于电荷陷入层下方及源极区与漏极区之间的基底中的通道区所构成。其中电荷陷入层中具有隔离区，且此隔离区使电荷陷入层分离成源极区电荷陷入区块与漏极区电荷陷入区块，而成为一双位结构。

主权项

1.一种氮化硅只读存储器，其特征是，该氮化硅只读存储器包括：一基底；一控制栅极，该控制栅极设置于该基底上；一源极区与一漏极区，该源极区与该漏极区设置于该控制栅极两侧的该基底中；一电荷陷入层，该电荷陷入层设置于该控制栅极与该基底之间，该电荷陷入层中具有一隔离区，且该隔离区使该电荷陷入层分离成一源极区电荷陷入区块与一漏极区电荷陷入区块，而成为一双位结构；以及一通道区，该通道区设置于该电荷陷入层下方及该源极区与该漏极区之间的该基底中。