| 发明名称 | 具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作 | ||
| 摘要 | 制造集成电路器件的方法和结构：在衬底中制作存储器件，光刻制作栅窗口，在栅窗口中制作第一间隔，用第一间隔在衬底中制作条形窗口以对准条形窗口，在条形窗口中制作第二间隔，用第二间隔在衬底中制作隔离窗口，用绝缘材料填充隔离窗口，在栅窗口中形成台阶，形成第一扩散区，在衬底和台阶上制作栅绝缘层，制作栅导体，形成第二扩散区，制作与栅导体隔离的接触，栅导体中的电压形成邻近台阶的衬底中的导电区，与条形和接触电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1155999C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN00118877.1 | 申请日期 | 2000.06.22 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 | 发明人 | 乌尔里克·格里宁;卡尔·J·拉登斯 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L27/04 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路芯片的方法，它包含：在衬底中制作至少具有一个台阶的窗口；在所述台阶下方的所述窗口中制作第一导体；在邻近所述第一导体和所述台阶下方的所述衬底中形成第一扩散区；在所述台阶上方制作栅导体；在邻近所述栅导体的所述衬底上方制作第二导体；以及在邻近所述第二导体的所述衬底中形成第二扩散区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||