一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法

摘要

一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法，涉及一种低维纳米材料的制备。本发明是以可溶性钼酸盐为钼源，高氯酸为酸化沉淀剂，水为介质，在室温下得到澄清溶液，然后转移到反应釜中，于100～200℃的温度下进行水热反应，通过严格控制溶液的H⁺浓度(10mol/L＞[H⁺]＞0.01mol/L)和酸的滴加速度(10mL/min＞v＞0.1mL/min)，即可合成正交晶型的三氧化钼单晶纳米带。本发明与溶胶凝胶、溅射、电子束蒸发、化学气相沉积等方法相比，原料价廉易得，设备简单，易于实现控制；产品具有独特的尺寸和形貌，产率高，质量稳定，该产品在电、热、光等物理性质的限制传输，纳米器件，传感器制备等很多领域都有广泛的应用。

主权项

1.一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法，以可溶性钼酸盐为钼源，高氯酸为酸化沉淀剂，以水为介质，在室温下得到澄清溶液，其特征在于：(1)将酸化后到得的溶液放入反应釜中，加入去离子水；(2)在100～200℃的温度条件下进行水热反应，反应液的氢离子浓度控制在0.5mol/L～1mol/L，酸的滴加速度0.5mL/min～2mL/min。