| 发明名称 | 宽带隙半导体中的功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一优选器件，它包括在结隔离衬底或半绝缘衬底(例如碳化硅)上制造的诸如超大功率开关器件的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1156017C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN98806520.7 | 申请日期 | 1998.06.23 |
| 申请人 | 小詹姆斯·艾伯特·库珀;迈克尔·R·梅洛奇;贾亚拉玛·谢诺伊;简·斯皮茨 | 发明人 | 小詹姆斯·艾伯特·库珀;迈克尔·R·梅洛奇;贾亚拉玛·谢诺伊;简·斯皮茨 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/24 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.功率开关器件，包括：衬底(12)；邻近上述衬底(12)的漂移区层(13)；在该漂移区层(13)内提供的源区(14)，漏区(15)和沟道区(16)，其中所述沟道区(16)包围所述源区(14)的下边界；上述沟道区(16)上的绝缘层(17)；以及邻近上述绝缘层(17)的栅(18)，其特征在于上述衬底(12)是半绝缘衬底。 | ||
| 地址 | 美国印第安纳州 | ||