两种存储器类型的集成

摘要

非易失存储器(NVM)和动态纳米晶体(DNM)集成在一个半导体衬底上。具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：第一存储器晶体管，包括：第一电介质；以及第一多个分立的存储元件；和第二存储器晶体管，包括：第二电介质，其比第一电介质厚；和第二多个分立的存储元件。