| 发明名称 | 过渡金属的硫化物纳米管与制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硫化物纳米管的制备，它是关于过渡金属MS<SUB>X</SUB>纳米管的制备方法及其在储氢、储锂和电极材料上的应用。MS<SUB>X</SUB>式中M为IV-VIB族过渡金属，如Ti，Zr，Nb，Mo，W等；X为1或2。该系列纳米管具有非常有序的层状管式结构，其长度可达3～5μm，内径为10～25nm，外径为25～60nm，层间距为0.57～0.63nm。经低温气固催化反应制备的高纯MS<SUB>X</SUB>开口、多壁或单壁纳米管有其独特的层状管式结构和大的比表面积。MS<SUB>X</SUB>纳米管是一种良好的可逆储氢及储锂的载体，特别是在电化学储氢及储锂时，有着快速充放电速度和优良的循环寿命，因而可应用于新型镍/氢电池及锂电池的开发。 | ||
| 申请公布号 | CN1155522C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN02149128.3 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 陈军;李锁龙;陶占良;蔡锋石;徐丽娜 |
| 分类号 | C01G1/12;C01G23/00;C01G25/00;C01G33/00;C01G39/06;C01G41/00 | 主分类号 | C01G1/12 |
| 代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 赵尊生 |
| 主权项 | 1、一种过渡金属的硫化物纳米管，其特征在于它是具有MSX组成的开口、单壁或多壁纳米管，其中M为IV-VIB族过渡金属，X为2；所述的纳米管的长度3～5μm，内径为10～25nm，外径为25～60nm，层间距为0.57～0.63nm。 | ||
| 地址 | 300071天津市卫津路94号 | ||