| 发明名称 | 具有高透光率的发光二极管元件 | ||
| 摘要 | 一种具有高透光率的发光二极管元件，其利用变化透明电极的结构来增加光的穿透率，进而改善发光二极管元件的透光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1156030C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN01109035.9 | 申请日期 | 2001.02.27 |
| 申请人 | 连威磊晶科技股份有限公司 | 发明人 | 曾坚信;蔡文忠;蔡炯棋 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄健 |
| 主权项 | 1、一种发光二极管元件，包括：一第一被覆层，由经N型杂质进行掺杂的III族金属氮化物所构成；一第二被覆层，由经P型杂质进行掺杂的III族金属氮化物所构成；一活性层，设置于上述第一、第二被覆层之间，由经III族金属氮化物的量子阱所构成；以及一透明电极层，设置于上述第二被覆层之上；其中，所述透明电极层中形成有多个孔洞，而使上述第二被覆层露出。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||