发明名称 带通滤波器
摘要 公开一种具有极高机械强度的高度紧凑型带通滤波器。按照本发明的带通滤波器采用近似矩形棱柱状的电介质块,它是由电介质块的第一横截面与第二横截面之间的第一部分,以及被第一部分和电介质块表面上形成的金属片分开的第二部分和第三部分构成,其中电介质块的第二横截面大致平行于第一横截面。电介质块中的第一部分及其上面形成的金属片作为渐消型波导。电介质块中的第二部分及其上面形成的金属片作为第一谐振器。电介质块中的第三部分及其上面形成的金属片作为第二谐振器。该金属片包括电介质块第一表面上形成的电容极片,它大致垂直于这两个横截面。
申请公布号 CN1156192C 申请公布日期 2004.06.30
申请号 CN01137024.6 申请日期 2001.10.19
申请人 TDK株式会社 发明人 薰树亚欄
分类号 H04Q7/32;H01P1/201;H01P7/10 主分类号 H04Q7/32
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 蒋世迅
主权项 1.一种带通滤波器,包括:第一电介质谐振器和第二电介质谐振器,每个谐振器具有:上表面和下表面,在所述上表面和下表面上形成有金属片;短路面,使上表面和下表面上形成的金属片电短路;与短路面相对的第一开放表面;垂直于短路面的第二开放表面;以及与第二开放表面相对的第三开放表面;第一电介质谐振器与第二电介质谐振器之间的渐消型波导,渐消型波导与第一电介质谐振器和第二电介质谐振器的整个第二开放表面相接触;第一电介质谐振器的第一开放表面上形成的第一电容极片;第二电介质谐振器的第一开放表面上形成的第二电容极片;第一电介质谐振器的第三开放表面上形成的第一激励电极;和第二电介质谐振器的第三开放表面上形成的第二激励电极。
地址 日本东京都