发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种薄膜晶体管液晶显示器,其中,根据一优选实施例,它包括在一基底的一栅极上依序形成的一栅极绝缘层、一非晶硅层与一金属层,在该金属层上形成的一第一光阻层与一包含有一开口的第二光阻层,经两次蚀刻形成的一源极与一漏极,以及覆盖于该基底上的一保护层。本实用新型的薄膜晶体管液晶显示器在制作时不会发生过度蚀刻或蚀刻不足的问题,而所生成的源极与漏极的宽度也能符合产品规格,从而可大大提高产品生产率和优化制造工艺。 |
申请公布号 |
CN2622731Y |
申请公布日期 |
2004.06.30 |
申请号 |
CN03238442.4 |
申请日期 |
2003.04.11 |
申请人 |
广辉电子股份有限公司 |
发明人 |
许祝维 |
分类号 |
G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786 |
主分类号 |
G02F1/133 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王永建 |
主权项 |
1.一种在一基底上制作而成的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于,它包括:沉积在该基底上的一第一金属层;对该第一金属层进行光蚀刻从而在该基底表面形成的该薄膜晶体管的一栅极;依序形成于该栅极上的一栅极绝缘层、一非晶硅层与一第二金属层;形成该第二金属层上的一第一光阻层后,再形成该第一光阻层上的一第二光阻层,该第二光阻层包含有一开口,以暴露部分的该第一光阻层,再通过利用第一光阻层进行蚀刻以去除未被该第一光阻层所覆盖的该第二金属层与该非晶硅层、以及利用该第二光阻层并透过该开口进行蚀刻以去除未被该第二光阻层所覆盖的该第一光阻层与该开口下方的该第二金属层而形成的该薄膜晶体管的一源极与一漏极;形成于该基底上的一保护层。 |
地址 |
中国台湾 |