闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存单元及其制造方法，其中，在衬底中的源极扩散区相对的侧边形成垂直叠置的浮置栅极和控制栅极对，在源极扩散区正上方和叠置的栅极之间形成擦除栅极，在叠置栅极与擦除栅极相对的侧边形成选择栅极，编程通道从选择栅极与叠置栅极之间的衬底中的中间沟道区延伸到浮置栅极面对选择栅极的边缘部分，而擦除通道从浮置栅极面对擦除栅极的边缘部分延伸到源极扩散区和擦除栅极。在一些实施例中，源极区与擦除栅极电连接，在另一些实施例中，在控制栅极的一侧或两侧，浮置栅极横向突出超出控制栅极。这些存储单元的尺寸非常小，提供的编程和擦除性能充分优于现有技术的存储单元。

主权项

1.一种闪存单元阵列，包括：衬底；衬底中的源极扩散区；位于源极扩散区的相对侧的浮置栅极和控制栅极的垂直叠置对；在源极扩散区正上方并且在叠置的栅极之间的擦除栅极；位于叠置栅极的与擦除栅极相对的侧边的选择栅极；从选择栅极与叠置的栅极之间的衬底中的中央沟道区到面对选择栅极的浮置栅极的边缘部位的编程通道；以及，从面对擦除栅极的浮置栅极的边缘部分延伸到源极扩散区和擦除栅极的擦除通道。