Verfahren zur Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen (Microelectromechanical Systems: MEMS) mittels Silizium-Hochtemperatur-Fusionsbonden

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Systems (Microelectromechanical System: MEMS) beschrieben, das monolithisch integriert den Sensor mit der sensorsignalverarbeitenden Elektronik auf CMOS-Technologie-Basis enthält. Durch Verbinden einer Vertiefungen besitzenden Halbleiterscheibe mit einer eine Epitaxieschicht tragenden über die Epitaxieschicht mittels Hochtemperatur-Fusionsbonden zu einer Doppelscheibe und anschließendem einseitigen Abtrag der Doppelscheibe mit nachfolgender Politur bis zur Freilegung der Epitaxieschicht bei gleichzeitiger Schaffung einer Membran werden die Voraussetzungen geschaffen, um den elektronischen Teil des Sensors und die signalverarbeitende Elektronik mit CMOS-Technologieverfahren zu realisieren.