| 摘要 |
Eine Reflektionsmaske (1) zur Projektion einer Struktur (40) auf einen Halbleiterwafer umfaßt ein Trägermaterial, einen Schichtstapel (21) zur Reflektion schräg einfallenden Lichtes, umfassend eine alternierende Abfolge reflektierender Schichten, welcher auf einer Vorderseite (7) des Trägermaterials (10) gebildet ist, eine Licht absorbierende Schicht (22), in welcher wenigstens eine Öffnung als die zu projizierende Struktur (40) gebildet ist und welche auf dem alternierenden Schichtstapel angeordnet ist, und eine elektrisch leitfähige Schicht (5), welche innerhalb des Trägermaterials nahe einer Oberfläche (81) einer Rückseite (8) des Trägermaterials (10) vergraben ist. Die vergrabene, elektrisch leitfähige Schicht (5) wird mittels Ionenimplantation vorzugsweise vollflächig auf der Rückseite (8) der Maske (1) erzeugt. Die Tiefe und die Tiefenausdehnung der Schicht (5) werden durch die Ionenenergie sowie die Dosis gesteuert. |
