半导体器件

摘要

在具有薄膜状有源层的一个场效应型器件中提供了一个薄膜状半导体器件，该器件包括在该有源层上的一个顶部侧栅极和连接到一稳定电位的一个底部侧栅极，底部侧栅极被提供在有源层和一基片之间。底部侧栅极可以电连接到场效应型器件的源极和漏极中的唯一一个极。本申请也公开了其制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶管，设在整个衬底上；其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个有一对杂质区、一设在所述杂质区之间的沟道区和一设在所述整个沟道区上的栅极，在栅极与所述沟道区之间有第一栅绝缘膜；且只有所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的其中之一还有一个后电极处在所述沟道区下方，在后电极与所述沟道区之间有第二栅绝缘膜。