提高了可靠性的镶嵌互连及制造工艺

摘要

一种在半导体衬底的绝缘层内凹部中的提高了可靠性的导电镶嵌结构及其制造工艺。该工艺包括在凹部淀积具有与绝缘层接触的第一金属的润湿层，在润湿层上均匀淀积阻挡层，在阻挡层上淀积具有第二金属的导电层。施行导电层淀积步骤的温度低于第一和第二金属通过阻挡层扩散而导致生成第一与第二金属的金属互化物的温度。

主权项

1.一种在半导体衬底上的绝缘层内的凹部中制造导电镶嵌结构的工艺，该镶嵌结构包括第一金属构成的润湿层和第二金属构成的导电层，该工艺包括以下步骤：a)在所说凹部中淀积与所说绝缘层接触的润湿层；b)在所说润湿层上淀积均匀的阻挡层，所说阻挡层包括防止所说第一和第二金属在比其扩散温度低的温度下扩散的成分，所述扩散温度高于所述第一和第二金属彼此反应生成金属互化物的反应温度；以及c)在不高于所说扩散温度的温度下，在所说阻挡层上淀积所说导电层。