功率晶体管及使用它的半导体集成电路

摘要

提供一种功率晶体管，还有使用该功率晶体管的半导体集成电路，在该晶体管中可防止寄生PNP晶体管的不正常起动和由于周边电路闭塞引起的电路故障。在由配置在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管组成的功率晶体管中，在功率晶体管的有源区中制作了为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管的集电极彼此隔离开来而形成的N⁺型隐埋层的单个或多个电极部分。

主权项

1.一种功率晶体管，其特征在于，包括形成在P型硅基底上的多个垂直式PNP晶体管，其中为把P型硅基底与多个垂直式PNP晶体管彼此隔开来而形成的N+型隐埋层的单个或多个电极部分制作在功率晶体管的有源区中。