制造半导体器件的方法

摘要

用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：用于在晶片上形成多个元件的元件制作工艺过程；用于对形成上述的多个元件的晶片实施探针测试的探针测试工艺过程；和用于对形成上述的多个元件的晶片或芯片实施老化测试的老化测试工艺过程，其中在上述的探针测试工艺过程和/或上述的老化测试工艺过程中，在主表面上设置导电的凸出部，并且包括用于使上述的凸出部与在上述的主表面相反的表面上设置的焊接点电连接的测试装置中的上述的凸出部压向被测对象中的所希望的位置的工艺过程，其中所述主表面是衬底的主表面所述衬底具有第一部分和第二部分，所述第二部分比第一部分薄，所述导电的凸出部位于所述第二部分的区域中，当所述导电的凸出部受压时所述第二部分产生变形。