发明名称 |
制备太阳能电池前体薄膜的方法及太阳能电池 |
摘要 |
可用于生产太阳能电池的高质量铜-铟-镓-联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18),接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In,Ga)Se<SUB>2</SUB>来制备的。在电淀积中采用1~100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液,同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。 |
申请公布号 |
CN1155111C |
申请公布日期 |
2004.06.23 |
申请号 |
CN96199008.2 |
申请日期 |
1996.12.11 |
申请人 |
戴维斯,约瑟夫和尼格利;约瑟夫和尼格利 |
发明人 |
R·N·比哈塔查亚;M·A·科特里拉斯;J·科尼;A·L·坦纳特;J·R·图特利;K·拉曼纳塞;R·诺非 |
分类号 |
H01L31/18;C25D5/18;C23C28/00 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
龙传红 |
主权项 |
1.一种制备用于太阳能电池的前体薄膜的方法,该方法包括步骤:在基材上电淀积CuxInyGazSen(x=0~2,y=0~2,z=0~2,n=0~3)层,电淀积的直流电压约为1~5伏,在直流电压上叠加的交流电压约为0.2~5.0伏,频率为1~100千赫;通过汽相淀积在所说的CuxInyGazSen层上淀积足量的In+Se或Cu+Se,在基材上生成由CuxInyGazSen层和In+Se或Cu+Se组成的Cu(In,Ga)Se2薄膜,其中所说的薄膜具有约为Cu=1~1.2∶(In,Ga)=1~1.2∶Se=2~2.5的化学计量比例。 |
地址 |
美国得克萨斯 |